Descripción de productos
La máquina cortadora de obleas por láser con dispositivo de potencia de SiC está diseñada específicamente para singularizar y cortar en cubitos con precisión obleas de carburo de silicio (SiC), dispositivos semiconductores de potencia y sustratos cerámicos avanzados.
Equipada con un láser de fibra de alta-potencia, una plataforma de movimiento de ultra-precisión y un sistema de alineación de visión CCD, la máquina ofrece un procesamiento de alta-velocidad y alta-precisión al tiempo que minimiza las astillas, las micro-fisuras y los daños térmicos.
El sistema es especialmente adecuado para la fabricación de semiconductores de tercera-generación, como módulos de potencia y sustratos de embalaje de semiconductores.
Características del equipo
Tecnología láser de fibra de alta-potencia
- Fuente láser de fibra de grado industrial-avanzado
- Excelente calidad del haz y estabilidad energética.
- Funcionamiento sin-mantenimiento
- Alta eficiencia de conversión electro-óptica
- Bajo costo operativo
Plataforma de movimiento de ultra-precisión
- Base de la máquina de granito natural para una rigidez superior
- La estructura de pórtico integrada garantiza la resistencia a las vibraciones
- Operación de alta-velocidad y alta-estabilidad
Sistema de accionamiento de motor lineal
- Sistema de motor lineal importado
- Codificador lineal de alta-resolución de 0,5 μm
- Control CNC de bucle-cerrado completo
- Respuesta rápida y precisión de posicionamiento superior
Alineación de visión CCD
- Alineación automática de obleas
- reconocimiento fiduciario
- Posicionamiento de alta-precisión para aplicaciones de semiconductores
Corte en cubitos con láser de bajo daño-
- Ancho de corte estrecho
- Descantillado mínimo
- Zona de influencia térmica reducida
Rendimiento de troquel mejorado
Aplicaciones
Industria de semiconductores de tercera-generación
Obleas de dispositivos de potencia de SiC
Obleas MOSFET de SiC
Diodos Schottky de SiC
Módulos de potencia de SiC
Sustratos de embalaje de SiC
Industria del embalaje de semiconductores
Sustratos Cerámicos
Sustratos DBC
Sustratos AMB
Sustratos de AlN
Portadores de semiconductores
Nueva industria energética
Módulos de potencia para vehículos eléctricos
Sistemas de carga
Sistemas de almacenamiento de energía
Inversores Fotovoltaicos
Electrónica Industrial
Componentes semiconductores de alta-potencia
Equipos de fabricación inteligentes
Accionamientos industriales
Electrónica de tránsito ferroviario
Especificaciones técnicas
| Artículo | Parámetro |
Tipo de láser
| Láser de fibra
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Longitud de onda láser
| 1060-1080 nanómetro
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Potencia láser
| 1000W (Personalizado)
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Área de procesamiento
| 600 × 600 milímetros
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Grosor de corte
| Depende del material
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Precisión de repetibilidad
| ±5 μm
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Velocidad de procesamiento
| 0–3000 mm/min
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Velocidad máxima de desplazamiento
| 60 m/min
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Aceleración máxima
| 1.2 G
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Precisión de la mesa de trabajo
| Menor o igual a 0,015 mm
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Sistema de accionamiento
| Codificador de motor lineal importado + 0.5 μm
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Potencia de la máquina
| Menor o igual a 7 kW
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Peso de la máquina
| Alrededor de 1800 kilogramos
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Dimensiones de la máquina
| 1800 × 1470 × 1890 milímetros
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Ventajas del corte en cubitos de obleas de SiC
Alta precisión
Admite el corte en cubitos de precisión de obleas de SiC y sustratos semiconductores con una excelente consistencia dimensional.
Bajo astillado
El procesamiento láser optimizado minimiza los defectos de los bordes y mejora la calidad del troquel.
Alto rendimiento
Reduce las micro-fisuras y el estrés térmico, lo que ayuda a mejorar el rendimiento final del dispositivo.
Procesamiento flexible
Adecuado para corte-en línea recta, singularización de obleas, ranurado, taladrado y procesamiento de semiconductores personalizado.
Listo para la automatización
Compatible con líneas de producción de semiconductores y soluciones de automatización personalizadas.
Muestras de procesamiento típicas
- Obleas de dispositivos de potencia de SiC
- Obleas MOSFET de SiC
- Sustratos cerámicos DBC
- Sustratos cerámicos AMB
- Sustratos cerámicos AlN
- Portadores de embalaje de semiconductores
- Componentes cerámicos avanzados
Aplicaciones de muestra
Ventosas de cerámica para equipos semiconductores.
Vea nuestro vídeo de corte por láser.
Servicios postventa y soporte-
Muestreo gratuito de obleas de SiC
Procesamiento gratuito de obleas de SiC de 4", 6" y 8". Incluye inspección de secciones transversales, pruebas eléctricas y soluciones completas de procesos de producción en masa.
Paquete de proceso de semiconductores precargado
Viene con parámetros maduros de "corte sigiloso" para todas las obleas de SiC. No es necesario-ajustes internos-producción estable desde el primer día.
Garantía Premium y soporte de por vida
Un-año de garantía completa-para la máquina, además de actualizaciones gratuitas de por vida, optimización de procesos y consultas técnicas.
Instalación y capacitación en el sitio
Los ingenieros se encargan de la instalación y la puesta en servicio. La formación del operador garantiza un inicio de producción rápido y sin problemas.
Soporte técnico rápido 24 horas al día, 7 días a la semana
Solución de problemas remota-las-horas y servicio de emergencia in situ-para evitar el tiempo de inactividad de la producción.
Integración de automatización personalizada
Sistemas opcionales de carga/descarga totalmente automatizados para producción en masa no tripulada.
Para informes-secciones transversales, vídeos-de producción en masa, cotizaciones precisas o planes de producción personalizados, comuníquese con nuestro equipo para obtener una consulta personalizada-a-gratuita sobre soluciones-de procesamiento de SiC de alta gama.
Nuestra dirección
1.er piso, Edificio B, Phoenix Park, No.8, Parque Científico y Tecnológico Optics Valley, No.18, Gaoxin 6th Road, Distrito de Jiangxia, Ciudad de Wuhan
Número de teléfono
+8618602711568
correo electrónico-
Preguntas frecuentes
P: ¿Qué materiales puede procesar su máquina?
R: Compatible con cerámica avanzada, cinta verde LTCC, vidrio, zafiro, cuarzo, PCB/FPC, oblea, metal ultra-delgado, láminas para baterías de litio y otros materiales de precisión duros y quebradizos. Fuentes láser opcionales para procesamiento multi-propósito.
P: ¿Cuál es el orificio mínimo de perforación y la precisión de posicionamiento?
R: mín. diámetro del orificio 0,05 mm, precisión de posicionamiento repetida +2um, se adapta a la producción en masa de componentes ópticos, semiconductores y 3C.
P: ¿Qué fuentes láser están instaladas en sus máquinas? ¿Son láseres de marcas bien-conocidas?
R: R: Configuramos láseres con diferentes longitudes de onda y potencias de salida adaptadas a sus requisitos de procesamiento. Nuestro equipo está equipado con fuentes láser de desarrollo propio-de serie; Alternativamente, se pueden instalar láseres de marcas específicas a pedido del cliente.
P: ¿Está disponible la producción en masa desatendida las 24 horas?
R: R: Nuestra máquina adopta un control CNC de bucle-cerrado completo; La carga/descarga automática opcional y la mesa de trabajo dual permiten una producción automática desatendida las 24 horas. Sin embargo, los breves intervalos de descanso periódicos después de un funcionamiento prolongado y continuo ayudan a prolongar la vida útil del equipo de forma eficaz.
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