Máquina de corte por láser UV de cerámica SiC
La máquina de corte por láser UV de cerámica SiC está diseñada para corte, perforación, trazado y micromecanizado de precisión de componentes cerámicos de carburo de silicio (SiC).
Equipado con un láser UV de nanosegundos de 355 nm, una potencia de láser de 20 W, escaneo galvanométrico de alta-velocidad y control de movimiento de precisión, el sistema está optimizado para componentes cerámicos de SiC delgados y precisos donde las características finas, los orificios pequeños, las ranuras estrechas y el impacto térmico controlado son importantes.
(Para aplicaciones que requieren un menor impacto térmico y una mayor precisión, se puede seleccionar un láser ultravioleta de picosegundo).
Nuestras ventajas
Pequeño punto enfocado
Nuestro avanzado sistema óptico logra un tamaño mínimo de punto enfocado de aproximadamente 20 μm. Esto permite la eliminación precisa de material y el micro-mecanizado de contornos finos, estructuras estrechas y geometrías cerámicas detalladas.
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Ancho de línea pequeño
En condiciones óptimas, el sistema alcanza un ancho mínimo de línea de mecanizado de hasta 15 μm. Ofrece una flexibilidad excepcional para trazados finos, micro-ranurado y patrones cerámicos de alta-precisión. (El ancho real varía según el material y la configuración del proceso).
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Escaneo galvanométrico de alta-velocidad
El escáner galvanómetro ofrece velocidades de procesamiento rápidas de hasta 7000 mm/s para trazado, conjuntos de micro-agujeros y patrones densos. Para piezas de trabajo más grandes, funciona perfectamente con la plataforma de movimiento para ampliar el área de trabajo efectiva.
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Procesamiento coordinado de plataforma y escáner
El software avanzado permite el movimiento sincronizado entre el escáner del galvanómetro y la plataforma de movimiento. Esto garantiza un mecanizado continuo y de alta-velocidad en sustratos cerámicos-de gran superficie.
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Alineación precisa de visión y movimiento
Equipado con una plataforma de movimiento de alta-precisión y un sistema de posicionamiento por visión CCD. Garantiza una alineación automática y precisa de la pieza de trabajo y una consistencia de procesamiento excepcional.
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Especificaciones técnicas
| Artículo | Especificación |
| Equipo | Sistema de procesamiento láser UV |
| Solicitud | Corte por láser y micromecanizado de cerámica SiC |
| Longitud de onda láser | 355nm |
| Tipo de láser | Láser UV de nanosegundos |
| Potencia del láser | 20W |
| Frecuencia del láser | 50-200 kHz |
| Área máxima de procesamiento | 300 × 300 mm* |
| Campo de escaneo único | 50 × 50 mm |
| Recorrido del eje Z- | 50mm |
| Punto mínimo enfocado | 20μm |
| Ancho mínimo de línea de grabado | 15μm |
| Precisión de posicionamiento de la mesa de trabajo | ±3μm |
| Repetibilidad de la mesa de trabajo | ±2μm |
| Precisión de posicionamiento de visión CCD | ±3μm |
| Velocidad máxima de escaneo | 7000 mm/s |
| Sistema de succión | Flujo de aire del ventilador 100m³/h |
| Rango de temperatura del enfriador | 18-24 grados |
| Precisión de la temperatura del enfriador | Menor o igual a 0,2 grados |
| Fuente de alimentación | 220 V, 50 Hz |
| Consumo total de energía | 5kW |
| Dimensiones de la máquina | 1500 × 1400 × 1800 mm |
| Aprox. Peso de la máquina | 1500 kilos |
| Software | Control coordinado de galvanómetro + plataforma de movimiento. |
| Soporte de archivos CAD | DXF estándar |
| Soporte de dibujo grande | 1GB+ |
| Láser opcional | Láser UV de picosegundo |
El área de procesamiento máxima de 300 × 300 mm se logra mediante el escaneo coordinado del galvanómetro y el movimiento de la plataforma. El campo de escaneo del galvanómetro único es de 50 × 50 mm.
Aplicaciones de procesamiento de cerámica SiC
1. Sustratos cerámicos finos de SiC
Diseñado para el procesamiento sin-contacto y de alta-precisión de sustratos delgados de SiC con un impacto térmico y mecánico mínimo. Ideal para corte de contornos, separación de sustratos, trazado, micro-ranuras y orificios de posicionamiento.
2. Perforación de microagujeros de SiC
Permite la perforación de micro-agujeros de precisión y conjuntos de orificios densos para flujo-de gas, sensores y aberturas de cerámica funcional. El tamaño del orificio, la relación de aspecto y los parámetros se pueden adaptar mediante pruebas de muestras para cumplir con tolerancias exactas.
3. Componentes de SiC de semiconductores de precisión
Ideal para mecanizar piezas pequeñas y delgadas de SiC utilizadas en equipos semiconductores, incluidos soportes cerámicos, componentes aislantes y placas de flujo de gas-. Perfecto para aplicaciones que requieren alta precisión de posicionamiento y detalles finos-de funciones.
4. Sensores de SiC y componentes de instrumentos
Diseñado para procesar bases de sensores de temperatura/presión, componentes de aislamiento en miniatura y soportes de precisión en entornos exigentes. Ofrece cortes de contornos limpios, micro-ranuras y estructuras funcionales finas.
5. I+D, creación de prototipos y producción-de lotes pequeños
Admite el procesamiento directo impulsado por CAD-sin costosas herramientas mecánicas, lo que permite iteraciones de diseño rápidas. Ideal para universidades, laboratorios de I+D, muestras de investigación y fabricación flexible de lotes pequeños-.
Capacidades de procesamiento de precisión
El sistema integra escaneo láser, movimiento de precisión y posicionamiento visual para soportar diferentes requisitos de procesamiento de SiC.
| Función de procesamiento | Aplicación típica |
| Corte de Precisión | Contornos cerámicos finos de SiC |
| Escribiendo | Separación cerámica y marcado fino. |
| Perforación de microagujeros | Pequeños agujeros y conjuntos de agujeros. |
| Ranurado fino | Ranuras y ranuras estrechas |
| Corte de perfiles | Contornos complejos e irregulares. |
| Procesamiento de patrones | Finas estructuras cerámicas |
| Orificios de posicionamiento | Componentes de montaje y alineación. |
Láser UV frente a QCW para cerámicas de SiC
Las diferentes aplicaciones de SiC requieren diferentes estrategias de procesamiento láser.
| Requisito | Láser ultravioleta de 355 nm | Láser de fibra QCW |
| Cerámica fina de SiC | ★★★★★ | ★★★ |
| Estructuras finas | ★★★★★ | ★★★ |
| Microagujeros | ★★★★★ | ★★ |
| Ranuras estrechas | ★★★★★ | ★★★ |
| Corte de precisión | ★★★★★ | ★★★ |
| Corte de SiC grueso | ★★ | ★★★★★ |
| Grandes contornos | ★★★ | ★★★★★ |
| Grandes agujeros | ★★ | ★★★★★ |
| Supresión de alto-rendimiento | ★★ | ★★★★★ |
| Bajo impacto térmico | ★★★★★ | ★★★ |
Preguntas frecuentes
P: ¿Puede la máquina utilizar un láser de picosegundos?
R: Sí. El procesamiento con láser de picosegundos UV está disponible como configuración opcional para aplicaciones que requieren un menor impacto térmico, características más finas o mayor precisión.
P: ¿Es el láser UV mejor que el QCW para SiC?
R: Para cerámicas finas de SiC, microagujeros, estructuras finas y procesamiento de precisión, la luz UV de 355 nm suele ser más adecuada. Los sistemas láser de fibra QCW se adaptan mejor a cerámicas de SiC más gruesas, contornos grandes, orificios grandes y cortes de alta-eficiencia.
P: ¿Pueden probar nuestras muestras de SiC?
R: Sí. Se recomienda realizar pruebas de muestra antes de seleccionar el equipo. Podemos evaluar sus requisitos de material de SiC, espesor, geometría, tamaño de orificio y calidad de borde-para determinar la configuración del láser y los parámetros de procesamiento adecuados.
Procesamiento láser de SiC personalizado
Las cerámicas de SiC varían en composición, densidad, espesor, estructura y condición de la superficie. Por lo tanto, los resultados del procesamiento láser pueden variar significativamente entre diferentes materiales y diseños de componentes.
YCLASER proporciona pruebas de muestras de SiC y evaluación de procesos antes de la selección del equipo.
Los clientes proporcionan:
● muestras de SiC
● dibujos CAD
● Espesor del material
● Diámetro del agujero
● Geometría de corte
● Tolerancia dimensional requerida
● Requisitos de calidad-de Edge
● Volumen de producción esperado
Nuestro equipo de ingeniería puede evaluar lo apropiado:
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